岗位研究方向及主要研究内容
研究方向：III-V半导体激光器外延结构设计与制备
主要研究内容：III-V 族半导体分子束外延
1、高质量量子点和量子阱外延生长
研究 GaAs、InP、GaSb 等衬底材料上的量子点、量子阱等有源区外延层的生长技术，着力提高有源区的光学品质。
2、异质外延生长及应力匹配优化；
研究 III-V/Si 异质材料体系的外延生长，着重解决 晶格失配、缺陷控制 和 应力调控问题。探索低缺陷密度的外延生长工艺，优化异质界面的质量，减少由于晶格失配带来的缺陷影响，从而提高异质结的界面质量；
3、量子结构设计与优化
研究 量子阱（QW）、量子点（QD）和量子级联（QC） 结构，优化激光器的增益特性、光学模态及载流子注入效率，提升器件性能。
学历要求
博士
专业要求
凝聚态物理、微电子与固体物理等相关专业